中国存储芯片与华为芯片制备2025年研讨会议纪要
总结与展望 (至2025年)
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国产替代加速：美国技术限制将持续推动半导体设备及零部件的国产化进程。28nm成熟制程将成为国产设备替代的主战场和首要目标。
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差异化发展：中微有望在技术领先性上进一步扩大优势，特别是在ICP领域；北方华创则依靠平台化优势和国企资源进行追赶。双方在CCP/ICP上相互渗透。
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关键瓶颈：真空压力计等极少数核心零部件的突破，是决定国产设备能否完全独立自主的关键，预计仍需较长时间。
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市场驱动：全球半导体周期复苏及国内对成熟工艺的巨大需求，将是支撑国产设备厂商持续投入研发、改善业绩的重要基础。
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国产设备厂商技术与发展现状
• 中微公司 (AMEC)：
◦ 技术全面：CCP技术国际领先；ICP技术凭借CCP积淀发展极快，已成功打入台积电5nm制程（非关键层）和英特尔关键制程，证明了其技术实力。
◦ 市场占优：在长江存储份额最高（腔体数超日本竞对），是其收入重要来源。在逻辑芯片40/45nm后段工艺有量产经验。
◦ 前瞻布局：非美零部件替代率国内最高，应对制裁准备较早。
• 北方华创 (NAURA)：
◦ 优势领域：ICP技术是其传统强项（尤其在40/45nm），但先进制程（14/28nm）进展缓慢。
◦ 业务多元：产品线广（刻蚀、CVD、PVD、热处理等），刻蚀业务占比相对不高。
◦ 追赶态势：已开始研发CCP设备，但处于早期阶段；非美零部件替代工作也在进行中。
• 其他厂商：屹唐股份（Mattson）在去胶设备方面表现良好，但刻蚀设备技术积累不足，可靠性曾出问题，市场份额很小。
- 关键零部件国产化挑战 (2025年更新视角)
• 最大瓶颈：三大件——射频发生器(RF Generator)、静电吸盘(ESC/E-Chuck)、真空压力计(Vacuum Gauge)。
• 真空压力计：仍是最大短板。美国产品精度和稳定性无可替代。欧洲有替代品，但稳定性（漂移问题）仍逊于美系，导致设备维护频繁。国产替代品预计至2025年仍与欧洲水平存在较大代差，是卡脖子最严重的环节。
• 静电吸盘(ESC) & 射频发生器：
◦ ESC国产化进展最快，预计2025年有望实现可靠替代。
◦ 射频发生器：普通型号国产替代可行，但用于先进制程的脉冲式射频发生器技术门槛高，仍需攻关。日系供应商（如东京电子TEL）的产品是当前重要的非美替代来源。
• 策略：设备商正采取“囤货（欧/日系）-验证-国产替代”的多路径方案。
- 下游晶圆厂需求与影响
• 长江存储 (YMTC)：受制裁影响最大。已被列入实体清单，无法获得任何美系设备及零部件。现状预测(2025)： 128层产线依靠库存零部件和非美渠道维持低负荷运行；232层及更高制程的扩产（二厂）已实质性停滞。生存依赖于零部件替代和工艺调整。
• 合肥长鑫 (CXMT)：受限用于18nm及以下制程的设备进口。其17nm制程良率和客户导入面临困难，且DRAM市场下行压力大，扩产计划趋于谨慎。
• 中芯国际 (SMIC)：受影响相对最小。利用DUV多重曝光技术可生产14nm甚至更先进制程（但成本高）。预计至2025年，其战略重心在于大规模扩产28nm等成熟制程，这为国产设备提供了最重要的验证和导入窗口。28nm设备可用于14nm产线，存在监管风险但难以追溯。
• 华虹集团 (Hua Hong)：主要以28nm及以上制程为主，受影响同中芯国际。
- 技术节点与制程挑战
• 逻辑芯片 (Logic) vs. 存储芯片 (Memory)：
◦ 逻辑：要求极高的精度和均匀性，良率要求常>99%。是国产设备的薄弱环节。
◦ 存储(3D NAND/DRAM)：更侧重于深宽比和产量，对绝对精度要求稍低于逻辑芯片，但随层数增加（如200+层）难度急剧提升。
• 28nm关键障碍：逻辑芯片28nm制程引入了金属掩膜大马士革工艺，该工艺目前被日系厂商垄断。中微公司多年尝试仍未完全突破并实现量产，这是国产设备在28nm逻辑平台替代的关键一战。
• 更先进制程：14/7/5nm所需刻蚀步骤数大幅增加（因多重曝光），主要增量在刻蚀设备台数，对设备精度和稳定性要求更高。
- 外部环境与地缘政治
• 美国禁令：针对中国地区14/16nm以下逻辑芯片、128层以上3D NAND、18nm以下DRAM的设备出口。
• 日荷跟进：预计至2025年，日本和荷兰的限制措施已全面生效。日系设备商（TEL、SCREEN等）已无法对华提供受控技术设备。荷兰ASML的DUV光刻机出口也受到严格限制，进一步制约了国内先进产能的扩张。
• “擦边球”空间：晶圆厂购买可用于成熟制程（如28nm）的设备来生产先进制程（如14nm）在技术上可行，但面临被美方审查的风险（如通过现场稽核）。